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脈沖激光分子束沉積系統是高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um，使靶材快速蒸發形成等離子體。對靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學計量組成一致。在條件下，靶材的化學計量與沉積薄膜的保持一致。所有的固態材料如金屬、半導體和絕緣體等
原理分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。特點（
? ? ? ?分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原
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