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分子束外延生長，顧名思義，就是使組成目標樣品的原子或分子定向運動到目標襯底（一般為有確定晶向的單晶）上，并使其按照襯底的晶體結(jié)構(gòu)進行生長。具體到 GaAs，就是使單質(zhì)的 Ga 與 As分別形成原子束或分子束，然后在合適襯底上相遇并反應(yīng)形成 GaAs。如何獲得定向運動的原子或分子束呢？類似于加熱燒杯中
石墨烯（Graphene）在物理學(xué)、材料學(xué)、電子信息、計算機、航空航天等領(lǐng)域都得到了長足的發(fā)展；作為目前發(fā)現(xiàn)的薄、強度、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能強的一種新型納米材料，石墨烯被稱為“黑金”，是“新材料”，科學(xué)家甚至預(yù)言石墨烯將“徹底改變21世紀”。極有可能掀起一場席卷全球的顛覆性新技術(shù)新產(chǎn)業(yè)革命。01
現(xiàn)階段，光學(xué)顯微鏡占有了顯微鏡銷售市場較大的市場份額，做到39.5%。可是從2014到今年，透射電鏡預(yù)估將有著光學(xué)顯微鏡行業(yè)的平均年復(fù)合增長率。依據(jù)市場分析報告顯示信息，全世界光學(xué)顯微鏡銷售市場中，光學(xué)顯微鏡占有了光學(xué)顯微鏡銷售市場較大的市場份額，做到39.5%。可是依據(jù)互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)顯示信息，從
對一些用戶而言，負載切換是引起電能質(zhì)量問題的原因之一。 負載開啟時，大電流消耗有時會引起電壓降低，使其他設(shè)備無法正常工作。 435 和 437 II系列型號的電參數(shù)波形功能使用戶可以同時高速捕獲電壓、電流和頻率信號，從而查找出現(xiàn)問題的原因。 電參數(shù)波形功能超出了標準的電能質(zhì)量測量范圍；電參數(shù)波形功能
1、電阻蒸發(fā)鍍：電阻蒸發(fā)源用于蒸發(fā)低熔點材料，如金、銀bai、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等。電阻蒸發(fā)源一般采用鎢、鉬、鉭制作。2、電子束蒸發(fā)鍍：利用電子束加熱使膜材汽化蒸發(fā)后，凝結(jié)在基片表面成膜是真空蒸鍍技術(shù)中一種重要的加熱方法。這種裝置的種類很多。隨著薄膜技術(shù)的廣泛應(yīng)用，不但對膜的種類要求繁多，而
掃描隧道顯微鏡 Scanning Tunneling Microscope 縮寫為STM。它作為一種掃描探針顯微術(shù)工具，掃描隧道顯微鏡可以讓科學(xué)家觀察和定位單個原子，它具有比它的同類原子力顯微鏡更加高的分辨率。此外，掃描隧道顯微鏡在低溫下（4K）可以利用探針操縱原子，因此它在納米科技既是重要
分子束外延(Molecular?Beam?Epitaxy，簡稱MBE)是制備極薄的單層或多層單晶薄膜的一種技術(shù)，它是在超高真空的條件下，把一定比例的構(gòu)成晶體的各個組分和摻雜原子(分子)以一定的熱運動速度噴射到熱的襯底表面來進行晶體外延生長的技術(shù)。它生長的材料是一種與襯底晶格結(jié)構(gòu)有一定對應(yīng)關(guān)系的單晶層
該系統(tǒng)是針對SPM的專業(yè)研究應(yīng)用所研發(fā)的。采用自制杜瓦型低溫恒溫器，可獲得5K的低溫，制冷劑利用效率高。特殊設(shè)計的掃描探頭結(jié)構(gòu)緊湊、體積小巧，具有極好的機械和溫度穩(wěn)定性。兼容目前主流商業(yè)化樣品架，可原位更換針尖、樣品和沉積分子/原子。集成了基于tuning fork技術(shù)的AFM，可在STM和AF
反射式高能電子衍射(Reflection High-Energy Electron Diffraction,簡稱RHEED)是高能電子衍射的一種工作模式。它將能量為10～50keV的單電子束掠入射 (1°~3°)到晶體表面，其反射束帶有晶體表面信息，并呈現(xiàn)于熒光屏。原理RHEED反射式高能電子衍射將
有機蒸發(fā)源，用于蒸鍍有機樣品，溫度范圍從25°C到500°C，加熱元件為MCH高溫陶瓷加熱器加熱溫度均勻，即使在坩堝邊緣也具有較高的加熱效率。所有蒸發(fā)源在出廠前均經(jīng)過溫度測試和除氣處理。
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國成儀器（常州）有限公司目前成熟并應(yīng)用于市場的產(chǎn)品有：MBE、蒸發(fā)源、rheed
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