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蒸發(fā)源是用來(lái)加熱膜材使之汽化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應(yīng)加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發(fā)源：電阻式蒸發(fā)源簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、可靠，可以做成不同的容量、形狀并具有不同的電特性。電子槍加熱蒸發(fā)源：有時(shí)很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發(fā)，例如常用于可見(jiàn)光和近紅外光學(xué)
電阻加熱蒸發(fā)源優(yōu)點(diǎn)：1.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、造價(jià)低廉，因此使用普遍；2.可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物。要求：1.蒸發(fā)源材料的自身熔點(diǎn)要高；2.飽和蒸汽壓要低；3.化學(xué)性能要穩(wěn)定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時(shí)，功率密度變化較小；4.蒸發(fā)源對(duì)膜材料
蒸發(fā)鍍膜涉及到的相變固-氣相變：即升華。在這一過(guò)程中，源材料從固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，而不經(jīng)歷液態(tài)。這需要足夠的能量的才能發(fā)生的，一般用加熱的方式可以實(shí)現(xiàn)。氣-固相變：即冷凝，升華的逆過(guò)程。當(dāng)蒸發(fā)出的氣態(tài)物質(zhì)遇到冷卻的襯底時(shí)，它們會(huì)凝結(jié)在其上，形成固態(tài)的薄膜。這是一個(gè)從氣態(tài)到固態(tài)的相變過(guò)程。什么是蒸汽壓
蒸發(fā)鍍膜是一種常用的薄膜制備技術(shù)，使用蒸發(fā)源將材料加熱至蒸發(fā)溫度，然后通過(guò)蒸發(fā)的材料沉積在基材表面形成薄膜。以下是幾種常見(jiàn)的蒸發(fā)源類型：電子束蒸發(fā)源：利用電子束將材料加熱至蒸發(fā)溫度，然后蒸發(fā)在基材上。電子束蒸發(fā)源具有高溫度和高速度的優(yōu)勢(shì)，適用于多種材料的蒸發(fā)。熱阻蒸發(fā)源：通過(guò)通電使蒸發(fā)源中的阻焊絲加
MBE技術(shù)是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長(zhǎng)外延薄層的技術(shù)。現(xiàn)代MBE生長(zhǎng)系統(tǒng)的背景真空度可達(dá) 1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發(fā)生碰撞。MBE技術(shù)的關(guān)鍵III,V族元素分別加熱到溫度Ti,Tj形成的束 引入到溫度為Ts的襯底上生長(zhǎng)薄膜，
反射式高能電子衍射(簡(jiǎn)稱rheed)將能量為10～50keV的單能電子掠射 (1°～3°)到晶體表面，其反射束帶有晶體表面信息，并呈現(xiàn)于熒光屏。當(dāng)入射電子束與晶面簇的夾角θ、晶面間距和電子束波長(zhǎng)λ三者之間滿足布喇格公式時(shí)，則沿此晶面簇對(duì)入射束的反射方向有衍射束產(chǎn)生，從而得到表面結(jié)構(gòu)的全部信息。反射式
在選擇坩堝形狀時(shí)，個(gè)原則是和諧k-cell的加熱絲的形狀匹配，滿足這個(gè)前提之后再來(lái)考慮其他的方面。這是因?yàn)槿绻螤畈黄ヅ洌訜峋蜁?huì)不均勻，一方面測(cè)溫不準(zhǔn)會(huì)影響實(shí)驗(yàn)可重復(fù)性，另一方面坩堝各個(gè)部分熱膨脹不均勻可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞。接下來(lái)再考慮其他方面的問(wèn)題。原教旨的k-cell想象一個(gè)封閉的盒子個(gè)封閉的盒子，
電阻加熱蒸發(fā)源優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、造價(jià)低廉,因此使用普遍;可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬,蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物.要求:1.蒸發(fā)源材料的自身熔點(diǎn)要高;2.飽和蒸汽壓要低;3.化學(xué)性能要穩(wěn)定,且具有良好的耐熱性,熱源變化時(shí),功率密度變化較小;4.蒸發(fā)源對(duì)膜材料的&qu
超高真空低溫掃描隧道顯微鏡（LT-STM）是在超高真空(優(yōu)于1*10-9 mbar)、低溫（LHe或者LN2）下,以單個(gè)原子或分子為的微小探針掃描樣品表面，依據(jù)量子力學(xué)的電子隧道效應(yīng)，記錄針尖到樣品之前的pA級(jí)的微弱隧穿電流或者自旋分辨電流，表征材料表面亞原子級(jí)的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)、自旋態(tài)、電、磁輸運(yùn)及表
（1）窒息MBE外延設(shè)備要在超高真空條件下工作，需要使用氮?dú)庠创祾咧脫Q；噴射爐的爐口需使用液氮進(jìn)行屏蔽。在現(xiàn)場(chǎng)設(shè)置氮?dú)?液氮鋼瓶或者通過(guò)管道輸送氮?dú)?液氮，如果氮?dú)馄堪踩郊积R全或有缺陷，氮?dú)?液氮管道的閥門、零件等腐蝕或存在缺陷，可能發(fā)生氣瓶或管道的泄漏，如果作業(yè)場(chǎng)所通風(fēng)不良，人員防護(hù)不當(dāng)，會(huì)引
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國(guó)成儀器（常州）有限公司目前成熟并應(yīng)用于市場(chǎng)的產(chǎn)品有：MBE、蒸發(fā)源、rheed
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